在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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国家发展改革委有关负责人表示，将认真组织实施好要素市场化配置综合改革试点工作，聚焦要素价格市场化形成、畅通要素流通渠道等重点领域和关键环节，分类施策推进改革，围绕提升要素配置效率、培育发展新质生产力等目标，开展差异化改革探索，加快形成全国可复制可推广的路径模式。